Справочник MOSFET. ME3449D-G

 

ME3449D-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME3449D-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для ME3449D-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3449D-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1549K  matsuki electric
 me3449d me3449d-g.pdf pdf_icon

ME3449D-G

ME3449D/ME3449D-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3449D is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)60m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)92m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for

 9.1. Size:761K  matsuki electric
 me3443 me3443-g.pdf pdf_icon

ME3449D-G

ME3443/ME3443-G P-Channel 2.5V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES -20V/-4.7A,RDS(ON)=65m@VGS=-4.5V The ME3443 is the P-Channel logic enhancement mode power field -20V/-3.7A,RDS(ON)=85m@VGS=-2.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density proc

Другие MOSFET... ME3205F , ME3205F-G , ME3205H-G , ME3424D , ME3424D-G , ME3443 , ME3443-G , ME3449D , IRF9640 , ME3483 , ME3483-G , ME3920D , ME3920D-G , ME3920-G , ME4425 , ME4425-G , ME4457 .

History: BL10N70A-A | STP13N80K5 | SSF3637 | BRCS4266SC | FQP7N60 | FHP1404A | NTB5605PG

 

 
Back to Top

 


 
.