ME3483-G Todos los transistores

 

ME3483-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME3483-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
 

 Búsqueda de reemplazo de ME3483-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME3483-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  matsuki electric
 me3483 me3483-g.pdf pdf_icon

ME3483-G

ME3483/ME3483-G P-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3483 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)80m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)100m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Otros transistores... ME3205H-G , ME3424D , ME3424D-G , ME3443 , ME3443-G , ME3449D , ME3449D-G , ME3483 , MMD60R360PRH , ME3920D , ME3920D-G , ME3920-G , ME4425 , ME4425-G , ME4457 , ME4457-G , ME4468 .

History: G30N20F | SM1F00NSF | STB130NS04ZB-1

 

 
Back to Top

 


 
.