ME3483-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME3483-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 23 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 106 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT26
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME3483-G
ME3483-G Datasheet (PDF)
..1. Size:1271K matsuki electric
me3483 me3483-g.pdf
me3483 me3483-g.pdf
ME3483/ME3483-G P-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3483 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)80m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)100m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
