ME3483-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME3483-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для ME3483-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3483-G даташит

 ..1. Size:1271K  matsuki electric
 me3483 me3483-g.pdf pdf_icon

ME3483-G

ME3483/ME3483-G P-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3483 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 80m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 100m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие IGBT... ME3205H-G, ME3424D, ME3424D-G, ME3443, ME3443-G, ME3449D, ME3449D-G, ME3483, RU7088R, ME3920D, ME3920D-G, ME3920-G, ME4425, ME4425-G, ME4457, ME4457-G, ME4468