Справочник MOSFET. ME3483-G

 

ME3483-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME3483-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для ME3483-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3483-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  matsuki electric
 me3483 me3483-g.pdf pdf_icon

ME3483-G

ME3483/ME3483-G P-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3483 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)80m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)100m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... ME3205H-G , ME3424D , ME3424D-G , ME3443 , ME3443-G , ME3449D , ME3449D-G , ME3483 , MMD60R360PRH , ME3920D , ME3920D-G , ME3920-G , ME4425 , ME4425-G , ME4457 , ME4457-G , ME4468 .

History: G30N20F | SM1F00NSF | STB130NS04ZB-1

 

 
Back to Top

 


 
.