ME3920D Todos los transistores

 

ME3920D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME3920D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

 Búsqueda de reemplazo de ME3920D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME3920D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  matsuki electric
 me3920d me3920d-g.pdf pdf_icon

ME3920D

ME3920D/ME3920D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3920D-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)30m@VGS=10V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON)45m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

 8.1. Size:1025K  matsuki electric
 me3920-g.pdf pdf_icon

ME3920D

ME3920-G Dual N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES FEATURES RDS(ON)24m@ VGS =10V The ME3920-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)46m@VGS=4.5V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tail

Otros transistores... ME3424D , ME3424D-G , ME3443 , ME3443-G , ME3449D , ME3449D-G , ME3483 , ME3483-G , 2N7002 , ME3920D-G , ME3920-G , ME4425 , ME4425-G , ME4457 , ME4457-G , ME4468 , ME4468-G .

 

 
Back to Top

 


 
.