ME3920D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME3920D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для ME3920D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3920D даташит

 ..1. Size:1121K  matsuki electric
 me3920d me3920d-g.pdf pdf_icon

ME3920D

ME3920D/ME3920D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3920D-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 30m @VGS=10V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 45m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

 8.1. Size:1025K  matsuki electric
 me3920-g.pdf pdf_icon

ME3920D

ME3920-G Dual N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES FEATURES RDS(ON) 24m @ VGS =10V The ME3920-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 46m @VGS=4.5V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tail

Другие IGBT... ME3424D, ME3424D-G, ME3443, ME3443-G, ME3449D, ME3449D-G, ME3483, ME3483-G, MMIS60R580P, ME3920D-G, ME3920-G, ME4425, ME4425-G, ME4457, ME4457-G, ME4468, ME4468-G