Справочник MOSFET. ME3920D

 

ME3920D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME3920D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для ME3920D

 

 

ME3920D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  matsuki electric
 me3920d me3920d-g.pdf

ME3920D ME3920D

ME3920D/ME3920D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3920D-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)30m@VGS=10V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON)45m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

 8.1. Size:1025K  matsuki electric
 me3920-g.pdf

ME3920D ME3920D

ME3920-G Dual N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES FEATURES RDS(ON)24m@ VGS =10V The ME3920-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)46m@VGS=4.5V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tail

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top