ME3920-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME3920-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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ME3920-G datasheet

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ME3920-G

ME3920-G Dual N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES FEATURES RDS(ON) 24m @ VGS =10V The ME3920-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 46m @VGS=4.5V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tail

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ME3920-G

ME3920D/ME3920D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3920D-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 30m @VGS=10V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 45m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

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