ME3920-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME3920-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10.9 nC
Время нарастания (tr): 30.8 ns
Выходная емкость (Cd): 54 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
ME3920-G Datasheet (PDF)
me3920-g.pdf
ME3920-G Dual N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES FEATURES RDS(ON)24m@ VGS =10V The ME3920-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)46m@VGS=4.5V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tail
me3920d me3920d-g.pdf
ME3920D/ME3920D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3920D-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)30m@VGS=10V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON)45m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
