ME4425-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4425-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 383 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SOP8

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ME4425-G datasheet

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ME4425-G

ME4425/ME4425-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4425 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 14m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 19m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS

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