ME4425-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME4425-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 67 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 383 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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ME4425-G Datasheet (PDF)

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me4425 me4425-g.pdf

ME4425/ME4425-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4425 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)14m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)19m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS

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Liste

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