Справочник MOSFET. ME4425-G

 

ME4425-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4425-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 383 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ME4425-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4425-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1054K  matsuki electric
 me4425 me4425-g.pdf pdf_icon

ME4425-G

ME4425/ME4425-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4425 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)14m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)19m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS

Другие MOSFET... ME3449D , ME3449D-G , ME3483 , ME3483-G , ME3920D , ME3920D-G , ME3920-G , ME4425 , 5N50 , ME4457 , ME4457-G , ME4468 , ME4468-G , ME4470 , ME4470-G , ME4473-G , ME4485 .

History: VBE1307 | PMV30ENEA | STP12N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.