ME4425-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4425-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 383 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4425-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4425-G даташит

 ..1. Size:1054K  matsuki electric
 me4425 me4425-g.pdf pdf_icon

ME4425-G

ME4425/ME4425-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4425 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 14m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 19m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS

Другие IGBT... ME3449D, ME3449D-G, ME3483, ME3483-G, ME3920D, ME3920D-G, ME3920-G, ME4425, IRFP064N, ME4457, ME4457-G, ME4468, ME4468-G, ME4470, ME4470-G, ME4473-G, ME4485