ME4457-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME4457-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 21 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 99 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4457-G

ME4457-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1234K matsuki electric
me4457 me4457-g.pdf

ME4457/ME4457-G P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4457 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)45m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)68m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

9.1. Size:1242K matsuki electric
me4454 me4454-g.pdf

ME4454/ME4454-G N-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4454 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)13m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)18m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O

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Liste

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