ME4457-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4457-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4457-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4457-G даташит

 ..1. Size:1234K  matsuki electric
 me4457 me4457-g.pdf pdf_icon

ME4457-G

ME4457/ME4457-G P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4457 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 45m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 68m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

 9.1. Size:1242K  matsuki electric
 me4454 me4454-g.pdf pdf_icon

ME4457-G

ME4454/ME4454-G N-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4454 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 13m @VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 18m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O

Другие IGBT... ME3483, ME3483-G, ME3920D, ME3920D-G, ME3920-G, ME4425, ME4425-G, ME4457, IRF730, ME4468, ME4468-G, ME4470, ME4470-G, ME4473-G, ME4485, ME4485-G, ME4832