Справочник MOSFET. ME4457-G

 

ME4457-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4457-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ME4457-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4457-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1234K  matsuki electric
 me4457 me4457-g.pdf pdf_icon

ME4457-G

ME4457/ME4457-G P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4457 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)45m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)68m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

 9.1. Size:1242K  matsuki electric
 me4454 me4454-g.pdf pdf_icon

ME4457-G

ME4454/ME4454-G N-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4454 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)13m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)18m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O

Другие MOSFET... ME3483 , ME3483-G , ME3920D , ME3920D-G , ME3920-G , ME4425 , ME4425-G , ME4457 , BS170 , ME4468 , ME4468-G , ME4470 , ME4470-G , ME4473-G , ME4485 , ME4485-G , ME4832 .

History: NVTFS5C670NL | IRFI4228 | 2SK1142

 

 
Back to Top

 


 
.