ME4468-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4468-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 46.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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ME4468-G Datasheet (PDF)
me4468 me4468-g.pdf
ME4468/ ME4468-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)10m@VGS=10VThe ME4468 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)13m@VGS=4.5Veffect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON)This high density process is especially tailored to minimize o
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Liste
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