ME4468-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4468-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4468-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4468-G даташит

 ..1. Size:2236K  matsuki electric
 me4468 me4468-g.pdf pdf_icon

ME4468-G

ME4468/ ME4468-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 10m @VGS=10V The ME4468 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 13m @VGS=4.5V effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) This high density process is especially tailored to minimize o

Другие IGBT... ME3920D, ME3920D-G, ME3920-G, ME4425, ME4425-G, ME4457, ME4457-G, ME4468, IRF3205, ME4470, ME4470-G, ME4473-G, ME4485, ME4485-G, ME4832, ME4832-G, ME4856