Справочник MOSFET. ME4468-G

 

ME4468-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4468-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ME4468-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4468-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2236K  matsuki electric
 me4468 me4468-g.pdf pdf_icon

ME4468-G

ME4468/ ME4468-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)10m@VGS=10VThe ME4468 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)13m@VGS=4.5Veffect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. Super high density cell design for extremely low RDS(ON)This high density process is especially tailored to minimize o

Другие MOSFET... ME3920D , ME3920D-G , ME3920-G , ME4425 , ME4425-G , ME4457 , ME4457-G , ME4468 , IRF3205 , ME4470 , ME4470-G , ME4473-G , ME4485 , ME4485-G , ME4832 , ME4832-G , ME4856 .

History: SSW60R030SFD2 | RUH30J95M | HFP15N06 | APT10030L2VFR | GSM4900W | IPD70P04P4-09 | 7N80L-TQ2-R

 

 
Back to Top

 


 
.