ME4470 Todos los transistores

 

ME4470 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4470
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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ME4470 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1248K  matsuki electric
 me4470 me4470-g.pdf pdf_icon

ME4470

ME4470/ME4470-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4470 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)3.6m@VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)5.1m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 9.1. Size:1057K  matsuki electric
 me4473-g.pdf pdf_icon

ME4470

ME4473-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4473-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)17m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)21m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

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History: HAT1065T | IXTY1N80 | AM6411P | IRF7484Q | BSC072N04LD | HGB027N10S | SM3106NSU

 

 
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