ME4470. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4470

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4470

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4470 даташит

 ..1. Size:1248K  matsuki electric
 me4470 me4470-g.pdf pdf_icon

ME4470

ME4470/ME4470-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4470 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 3.6m @VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 5.1m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 9.1. Size:1057K  matsuki electric
 me4473-g.pdf pdf_icon

ME4470

ME4473-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4473-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 17m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 21m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие IGBT... ME3920D-G, ME3920-G, ME4425, ME4425-G, ME4457, ME4457-G, ME4468, ME4468-G, IRF740, ME4470-G, ME4473-G, ME4485, ME4485-G, ME4832, ME4832-G, ME4856, ME4856-G