ME4470-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4470-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 74 nC
Tiempo de subida (tr): 19.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4470-G
ME4470-G Datasheet (PDF)
me4470 me4470-g.pdf
ME4470/ME4470-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4470 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)3.6m@VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)5.1m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
me4473-g.pdf
ME4473-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4473-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)17m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)21m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
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