Справочник MOSFET. ME4470-G

 

ME4470-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4470-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ME4470-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4470-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1248K  matsuki electric
 me4470 me4470-g.pdf pdf_icon

ME4470-G

ME4470/ME4470-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4470 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)3.6m@VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)5.1m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 9.1. Size:1057K  matsuki electric
 me4473-g.pdf pdf_icon

ME4470-G

ME4473-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4473-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)17m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)21m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... ME3920-G , ME4425 , ME4425-G , ME4457 , ME4457-G , ME4468 , ME4468-G , ME4470 , IRF840 , ME4473-G , ME4485 , ME4485-G , ME4832 , ME4832-G , ME4856 , ME4856-G , ME4894 .

History: H8N60P | WMB115N15LG4

 

 
Back to Top

 


 
.