ME4473-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4473-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 569 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de ME4473-G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ME4473-G datasheet

 ..1. Size:1057K  matsuki electric
 me4473-g.pdf pdf_icon

ME4473-G

ME4473-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4473-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 17m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 21m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 9.1. Size:1248K  matsuki electric
 me4470 me4470-g.pdf pdf_icon

ME4473-G

ME4470/ME4470-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4470 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 3.6m @VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 5.1m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Otros transistores... ME4425, ME4425-G, ME4457, ME4457-G, ME4468, ME4468-G, ME4470, ME4470-G, 20N60, ME4485, ME4485-G, ME4832, ME4832-G, ME4856, ME4856-G, ME4894, ME4894-G