ME4473-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME4473-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 91.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 569 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4473-G

ME4473-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1057K matsuki electric
me4473-g.pdf

ME4473-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4473-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)17m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)21m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

9.1. Size:1248K matsuki electric
me4470 me4470-g.pdf

ME4470/ME4470-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4470 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)3.6m@VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)5.1m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

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Liste

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