ME4473-G Todos los transistores

 

ME4473-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4473-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 569 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de ME4473-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME4473-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1057K  matsuki electric
 me4473-g.pdf pdf_icon

ME4473-G

ME4473-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4473-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)17m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)21m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 9.1. Size:1248K  matsuki electric
 me4470 me4470-g.pdf pdf_icon

ME4473-G

ME4470/ME4470-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4470 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)3.6m@VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)5.1m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Otros transistores... ME4425 , ME4425-G , ME4457 , ME4457-G , ME4468 , ME4468-G , ME4470 , ME4470-G , 20N60 , ME4485 , ME4485-G , ME4832 , ME4832-G , ME4856 , ME4856-G , ME4894 , ME4894-G .

History: JCS7HN65S | SM2300NSAN | NCEP40P80D | WSD90P06DN56 | PJM2319PSA | MTDK3S6R | STB4N62K3

 

 
Back to Top

 


 
.