ME4473-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME4473-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 91.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 101 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 569 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: SOP8
ME4473-G Datasheet (PDF)
me4473-g.pdf
ME4473-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4473-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)17m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)21m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
me4470 me4470-g.pdf
ME4470/ME4470-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4470 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)3.6m@VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)5.1m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD