ME4485 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4485
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de ME4485 MOSFET
ME4485 Datasheet (PDF)
me4485 me4485-g.pdf

ME4485/ME4485-G P-Channel 40V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4485 P-Channel logic enhancement mode power field effect RDS(ON) 12m@VGS=-10Vtransistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 17m@ VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)min
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History: KTJ6164S | IRFH7914TRPBF | HMS8N70D | WMK28N60C4 | MTH6N100
History: KTJ6164S | IRFH7914TRPBF | HMS8N70D | WMK28N60C4 | MTH6N100



Liste
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