Справочник MOSFET. ME4485

 

ME4485 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4485
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ME4485

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4485 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1682K  matsuki electric
 me4485 me4485-g.pdf pdf_icon

ME4485

ME4485/ME4485-G P-Channel 40V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4485 P-Channel logic enhancement mode power field effect RDS(ON) 12m@VGS=-10Vtransistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 17m@ VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)min

Другие MOSFET... ME4425-G , ME4457 , ME4457-G , ME4468 , ME4468-G , ME4470 , ME4470-G , ME4473-G , IRF540 , ME4485-G , ME4832 , ME4832-G , ME4856 , ME4856-G , ME4894 , ME4894-G , ME4906-G .

History: IRFS640A | P1504EIS | VMM650-01F | MTP3N50 | H7N0602LD | TK35S04K3L | IXTH80N20L

 

 
Back to Top

 


 
.