ME4485. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4485

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4485

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4485 даташит

 ..1. Size:1682K  matsuki electric
 me4485 me4485-g.pdf pdf_icon

ME4485

ME4485/ME4485-G P-Channel 40V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4485 P-Channel logic enhancement mode power field effect RDS(ON) 12m @VGS=-10V transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 17m @ VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON) min

Другие IGBT... ME4425-G, ME4457, ME4457-G, ME4468, ME4468-G, ME4470, ME4470-G, ME4473-G, IRF540N, ME4485-G, ME4832, ME4832-G, ME4856, ME4856-G, ME4894, ME4894-G, ME4906-G