ME4485-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME4485-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 53.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 26.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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ME4485-G Datasheet (PDF)

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me4485 me4485-g.pdf

ME4485/ME4485-G P-Channel 40V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4485 P-Channel logic enhancement mode power field effect RDS(ON) 12m@VGS=-10Vtransistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 17m@ VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)min

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Liste

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