ME4485-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4485-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SOP8

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ME4485-G datasheet

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ME4485-G

ME4485/ME4485-G P-Channel 40V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4485 P-Channel logic enhancement mode power field effect RDS(ON) 12m @VGS=-10V transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 17m @ VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON) min

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