ME4485-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME4485-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 53.2 nC
Время нарастания (tr): 26.2 ns
Выходная емкость (Cd): 250 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: SOP8
ME4485-G Datasheet (PDF)
..1. Size:1682K matsuki electric
me4485 me4485-g.pdf
me4485 me4485-g.pdf
ME4485/ME4485-G P-Channel 40V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4485 P-Channel logic enhancement mode power field effect RDS(ON) 12m@VGS=-10Vtransistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 17m@ VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)min
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
