ME4485-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME4485-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для ME4485-G
ME4485-G Datasheet (PDF)
me4485 me4485-g.pdf

ME4485/ME4485-G P-Channel 40V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4485 P-Channel logic enhancement mode power field effect RDS(ON) 12m@VGS=-10Vtransistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 17m@ VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)min
Другие MOSFET... ME4457 , ME4457-G , ME4468 , ME4468-G , ME4470 , ME4470-G , ME4473-G , ME4485 , IRF540N , ME4832 , ME4832-G , ME4856 , ME4856-G , ME4894 , ME4894-G , ME4906-G , ME4920 .
History: IRLR3410TR | STW28N60DM2
History: IRLR3410TR | STW28N60DM2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491