ME4832-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4832-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 71.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 202 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de ME4832-G MOSFET
ME4832-G Datasheet (PDF)
me4832 me4832-g.pdf

ME4832/ME4832-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.5 m@VGS=10VThe ME4832-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7.2m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to
Otros transistores... ME4468 , ME4468-G , ME4470 , ME4470-G , ME4473-G , ME4485 , ME4485-G , ME4832 , IRF640 , ME4856 , ME4856-G , ME4894 , ME4894-G , ME4906-G , ME4920 , ME4920-G , ME4947 .
History: MMBFJ177 | MTC4505Q8 | MTC3585N6 | STP9NK65Z | IPG20N10S4L-35A | XN0NE92
History: MMBFJ177 | MTC4505Q8 | MTC3585N6 | STP9NK65Z | IPG20N10S4L-35A | XN0NE92



Liste
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