ME4832-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4832-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 71.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 202 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
ME4832-G Datasheet (PDF)
me4832 me4832-g.pdf

ME4832/ME4832-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.5 m@VGS=10VThe ME4832-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7.2m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to
Otros transistores... ME4468 , ME4468-G , ME4470 , ME4470-G , ME4473-G , ME4485 , ME4485-G , ME4832 , IRF640 , ME4856 , ME4856-G , ME4894 , ME4894-G , ME4906-G , ME4920 , ME4920-G , ME4947 .
History: DSD040N08N3A
History: DSD040N08N3A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984