Справочник MOSFET. ME4832-G

 

ME4832-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4832-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 202 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ME4832-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4832-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:987K  matsuki electric
 me4832 me4832-g.pdf pdf_icon

ME4832-G

ME4832/ME4832-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.5 m@VGS=10VThe ME4832-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7.2m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... ME4468 , ME4468-G , ME4470 , ME4470-G , ME4473-G , ME4485 , ME4485-G , ME4832 , IRF640 , ME4856 , ME4856-G , ME4894 , ME4894-G , ME4906-G , ME4920 , ME4920-G , ME4947 .

History: TSP740MR | DE275X2-501N16A | MME70R380PRH | IRFP440R | CS12N65FA9R | 25N10L-TF3-T | QS8M51

 

 
Back to Top

 


 
.