ME4832-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4832-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 202 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4832-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4832-G даташит

 ..1. Size:987K  matsuki electric
 me4832 me4832-g.pdf pdf_icon

ME4832-G

ME4832/ME4832-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 5.5 m @VGS=10V The ME4832-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7.2m @VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

Другие IGBT... ME4468, ME4468-G, ME4470, ME4470-G, ME4473-G, ME4485, ME4485-G, ME4832, IRFP460, ME4856, ME4856-G, ME4894, ME4894-G, ME4906-G, ME4920, ME4920-G, ME4947