ME4856 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4856

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 358 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: SOP8

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ME4856 datasheet

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ME4856

ME4856/ME4856-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4856 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 6m @VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 8.5m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON) m

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