Справочник MOSFET. ME4856

 

ME4856 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME4856
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для ME4856

 

 

ME4856 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1001K  matsuki electric
 me4856 me4856-g.pdf

ME4856 ME4856

ME4856/ME4856-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4856 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)6m@VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)8.5m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)m

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top