ME4856 - описание и поиск аналогов

 

ME4856 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME4856
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ME4856

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4856 технические параметры

 ..1. Size:1001K  matsuki electric
 me4856 me4856-g.pdf pdf_icon

ME4856

ME4856/ME4856-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4856 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 6m @VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 8.5m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON) m

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF630 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.