ME4894-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4894-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SOP8

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ME4894-G datasheet

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ME4894-G

ME4894/ME4894-G N-Channel 30-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4894-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 11m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 17.5m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD

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