ME4894-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4894-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4894-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4894-G даташит

 ..1. Size:1614K  matsuki electric
 me4894 me4894-g.pdf pdf_icon

ME4894-G

ME4894/ME4894-G N-Channel 30-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4894-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 11m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 17.5m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD

Другие IGBT... ME4473-G, ME4485, ME4485-G, ME4832, ME4832-G, ME4856, ME4856-G, ME4894, IRLZ44N, ME4906-G, ME4920, ME4920-G, ME4947, ME4947-G, ME4970A, ME4970A-G, ME4972-G