Справочник MOSFET. ME4894-G

 

ME4894-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4894-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ME4894-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4894-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1614K  matsuki electric
 me4894 me4894-g.pdf pdf_icon

ME4894-G

ME4894/ME4894-G N-Channel 30-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4894-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)11m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)17.5m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD

Другие MOSFET... ME4473-G , ME4485 , ME4485-G , ME4832 , ME4832-G , ME4856 , ME4856-G , ME4894 , IRFP260N , ME4906-G , ME4920 , ME4920-G , ME4947 , ME4947-G , ME4970A , ME4970A-G , ME4972-G .

History: TSJ10N10AT | BUK9628-55A | IXTY02N50D | NCE0160AG | BSS606N-P | AOI4130

 

 
Back to Top

 


 
.