ME4906-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4906-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.154 Ohm

Encapsulados: SOP8

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ME4906-G datasheet

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ME4906-G

ME4906-G N- Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 154m @VGS=10V The ME4906-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 169m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to

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