ME4906-G Todos los transistores

 

ME4906-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4906-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.154 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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ME4906-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2250K  matsuki electric
 me4906-g.pdf pdf_icon

ME4906-G

ME4906-G N- Channel 150V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)154m@VGS=10VThe ME4906-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)169m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to

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History: UF840KL-TF3-R | AON6411 | FIR11NS65AFG | MTP2N55 | AUIRF540ZSTRL | ELM16604EA | BLP065N08G-D

 

 
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