ME4906-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4906-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.154 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4906-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4906-G даташит

 ..1. Size:2250K  matsuki electric
 me4906-g.pdf pdf_icon

ME4906-G

ME4906-G N- Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 154m @VGS=10V The ME4906-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 169m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to

Другие IGBT... ME4485, ME4485-G, ME4832, ME4832-G, ME4856, ME4856-G, ME4894, ME4894-G, IRFB4110, ME4920, ME4920-G, ME4947, ME4947-G, ME4970A, ME4970A-G, ME4972-G, ME50N02