Справочник MOSFET. ME4906-G

 

ME4906-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4906-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.154 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4906-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2250K  matsuki electric
 me4906-g.pdf pdf_icon

ME4906-G

ME4906-G N- Channel 150V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)154m@VGS=10VThe ME4906-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)169m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BUK139-50DL | TPM1013ER3 | BUK9675-100A | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.