ME4972-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME4972-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.376 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4972-G

ME4972-G Datasheet (PDF)

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me4972-g.pdf

ME4972-G Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)376m@VGS=10V The ME4972-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)360m@VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

9.1. Size:1028K 1
me4970 me4970g.pdf

ME4970/ME4970-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

9.2. Size:1213K matsuki electric
me4970 me4970-g.pdf

9.3. Size:1148K matsuki electric
me4970a me4970a-g.pdf

ME4970A /ME4970A-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970A-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)14m@VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON)20m@VGS=4.5V DMOS trench technology. This high density process is especially Super high density cell design for extremely low RD

9.4. Size:939K cn vbsemi
me4970.pdf

ME4970www.VBsemi.twDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFETPower MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.016 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.020 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DCD 1 D 2 SO-8 S D

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: DMP2160UFDB

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: