ME4972-G MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

ME4972-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4972-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.376 Ohm

Encapsulados: SOP8

Búsqueda de reemplazo de ME4972-G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

ME4972-G datasheet

..1. Size:1587K matsuki electric
me4972-g.pdf pdf_icon

9.1. Size:1028K 1
me4970 me4970g.pdf pdf_icon

ME4970/ME4970-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 16m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 20m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

9.2. Size:1213K matsuki electric
me4970 me4970-g.pdf pdf_icon

9.3. Size:1148K matsuki electric
me4970a me4970a-g.pdf pdf_icon

ME4970A /ME4970A-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970A-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 14m @VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON) 20m @VGS=4.5V DMOS trench technology. This high density process is especially Super high density cell design for extremely low RD

Otros transistores... ME4894-G, ME4906-G, ME4920, ME4920-G, ME4947, ME4947-G, ME4970A, ME4970A-G, AON6414A, ME50N02, ME50N02-G, ME50N10, ME50N10-G, ME55N06, ME55N06-G, ME5602D-G, ME60N03S

ME4972-G Todos los transistores