ME4972-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4972-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.376 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4972-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4972-G даташит

 ..1. Size:1587K  matsuki electric
 me4972-g.pdf pdf_icon

ME4972-G

 9.1. Size:1028K  1
 me4970 me4970g.pdf pdf_icon

ME4972-G

ME4970/ME4970-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 16m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 20m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

 9.2. Size:1213K  matsuki electric
 me4970 me4970-g.pdf pdf_icon

ME4972-G

ME4970/ME4970-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 16m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 20m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

 9.3. Size:1148K  matsuki electric
 me4970a me4970a-g.pdf pdf_icon

ME4972-G

ME4970A /ME4970A-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970A-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 14m @VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON) 20m @VGS=4.5V DMOS trench technology. This high density process is especially Super high density cell design for extremely low RD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ME4894-G, ME4906-G, ME4920, ME4920-G, ME4947, ME4947-G, ME4970A, ME4970A-G, AON6414A, ME50N02, ME50N02-G, ME50N10, ME50N10-G, ME55N06, ME55N06-G, ME5602D-G, ME60N03S