ME55N06-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME55N06-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 597 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO252

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ME55N06-G datasheet

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ME55N06-G

ME55N06/ ME55N06-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 9.5m @VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process

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ME55N06-G

ME55N06A/ ME55N06A-G N-Channel 75-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 9.5m @VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proces

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