Справочник MOSFET. ME55N06-G

 

ME55N06-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME55N06-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 114 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 597 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для ME55N06-G

 

 

ME55N06-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1114K  matsuki electric
 me55n06 me55n06-g.pdf

ME55N06-G ME55N06-G

ME55N06/ ME55N06-GN-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)9.5m@VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process

 7.1. Size:1148K  matsuki electric
 me55n06a me55n06a-g.pdf

ME55N06-G ME55N06-G

ME55N06A/ ME55N06A-G N-Channel 75-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)9.5m@VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proces

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top