Справочник MOSFET. ME55N06-G

 

ME55N06-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME55N06-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 597 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ME55N06-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME55N06-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1114K  matsuki electric
 me55n06 me55n06-g.pdf pdf_icon

ME55N06-G

ME55N06/ ME55N06-GN-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)9.5m@VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process

 7.1. Size:1148K  matsuki electric
 me55n06a me55n06a-g.pdf pdf_icon

ME55N06-G

ME55N06A/ ME55N06A-G N-Channel 75-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)9.5m@VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proces

Другие MOSFET... ME4970A , ME4970A-G , ME4972-G , ME50N02 , ME50N02-G , ME50N10 , ME50N10-G , ME55N06 , AON7408 , ME5602D-G , ME60N03S , ME60N03S-G , ME60N04 , ME60N04-G , ME6600D-G , ME6606D-G , ME6612D-G .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTX20N140 | FDS5170N7 | IXTQ96N15P

 

 
Back to Top

 


 
.