ME55N06-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME55N06-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 597 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ME55N06-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME55N06-G даташит

 ..1. Size:1114K  matsuki electric
 me55n06 me55n06-g.pdf pdf_icon

ME55N06-G

ME55N06/ ME55N06-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 9.5m @VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process

 7.1. Size:1148K  matsuki electric
 me55n06a me55n06a-g.pdf pdf_icon

ME55N06-G

ME55N06A/ ME55N06A-G N-Channel 75-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 9.5m @VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proces

Другие IGBT... ME4970A, ME4970A-G, ME4972-G, ME50N02, ME50N02-G, ME50N10, ME50N10-G, ME55N06, IRFP250N, ME5602D-G, ME60N03S, ME60N03S-G, ME60N04, ME60N04-G, ME6600D-G, ME6606D-G, ME6612D-G