ME5602D-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME5602D-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 159 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 14 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563

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ME5602D-G Datasheet (PDF)

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me5602d-g.pdf

ME5602D-G N-Channel 20V (D-S) MOSFET , ESD Protection N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME5602D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 0.35 @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 0.45 @VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(O

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Liste

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