ME5602D-G Todos los transistores

 

ME5602D-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME5602D-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 159 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563
 

 Búsqueda de reemplazo de ME5602D-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME5602D-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  matsuki electric
 me5602d-g.pdf pdf_icon

ME5602D-G

ME5602D-G N-Channel 20V (D-S) MOSFET , ESD Protection N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME5602D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 0.35 @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 0.45 @VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(O

Otros transistores... ME4970A-G , ME4972-G , ME50N02 , ME50N02-G , ME50N10 , ME50N10-G , ME55N06 , ME55N06-G , 7N65 , ME60N03S , ME60N03S-G , ME60N04 , ME60N04-G , ME6600D-G , ME6606D-G , ME6612D-G , ME6874 .

 

 
Back to Top

 


 
.