ME5602D-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME5602D-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 159 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: SOT563

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ME5602D-G datasheet

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ME5602D-G

ME5602D-G N-Channel 20V (D-S) MOSFET , ESD Protection N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME5602D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 0.35 @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 0.45 @VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(O

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