ME5602D-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME5602D-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 159 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SOT563

Аналог (замена) для ME5602D-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME5602D-G даташит

 ..1. Size:810K  matsuki electric
 me5602d-g.pdf pdf_icon

ME5602D-G

ME5602D-G N-Channel 20V (D-S) MOSFET , ESD Protection N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME5602D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 0.35 @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 0.45 @VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(O

Другие IGBT... ME4970A-G, ME4972-G, ME50N02, ME50N02-G, ME50N10, ME50N10-G, ME55N06, ME55N06-G, IRF630, ME60N03S, ME60N03S-G, ME60N04, ME60N04-G, ME6600D-G, ME6606D-G, ME6612D-G, ME6874