Справочник MOSFET. ME5602D-G

 

ME5602D-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME5602D-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 159 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT563
 

 Аналог (замена) для ME5602D-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME5602D-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  matsuki electric
 me5602d-g.pdf pdf_icon

ME5602D-G

ME5602D-G N-Channel 20V (D-S) MOSFET , ESD Protection N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME5602D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 0.35 @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 0.45 @VGS=2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(O

Другие MOSFET... ME4970A-G , ME4972-G , ME50N02 , ME50N02-G , ME50N10 , ME50N10-G , ME55N06 , ME55N06-G , 7N65 , ME60N03S , ME60N03S-G , ME60N04 , ME60N04-G , ME6600D-G , ME6606D-G , ME6612D-G , ME6874 .

 

 
Back to Top

 


 
.