ME6612D-G Todos los transistores

 

ME6612D-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME6612D-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 650 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 536 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00265 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3
 

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ME6612D-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1040K  matsuki electric
 me6612d-g.pdf pdf_icon

ME6612D-G

ME6612D-G Dual N-Channel 12V(S-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME6612D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RSS(ON) 2.65 m@VGS=4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS RSS(ON) 2.75 m@VGS=3.8Vtrench technology. This high density process is especially tailored to RSS(ON) 3.85 m@VGS=3.1Vminimize on-state

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History: TPCP8204 | KMA4D5P20X | SI1303DL | OSG60R030HZF | AON6572 | AO3416A

 

 
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