ME6612D-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME6612D-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.89 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 650 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 536 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00265 Ohm

Encapsulados: DFN2X3

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ME6612D-G datasheet

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ME6612D-G

ME6612D-G Dual N-Channel 12V(S-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME6612D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RSS(ON) 2.65 m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RSS(ON) 2.75 m @VGS=3.8V trench technology. This high density process is especially tailored to RSS(ON) 3.85 m @VGS=3.1V minimize on-state

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