ME6612D-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME6612D-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 650 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 536 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00265 Ohm
Тип корпуса: DFN2X3
ME6612D-G Datasheet (PDF)
me6612d-g.pdf

ME6612D-G Dual N-Channel 12V(S-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME6612D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RSS(ON) 2.65 m@VGS=4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS RSS(ON) 2.75 m@VGS=3.8Vtrench technology. This high density process is especially tailored to RSS(ON) 3.85 m@VGS=3.1Vminimize on-state
Другие MOSFET... ME55N06-G , ME5602D-G , ME60N03S , ME60N03S-G , ME60N04 , ME60N04-G , ME6600D-G , ME6606D-G , IRF4905 , ME6874 , ME6874-G , ME70N03S , ME70N03S-G , ME70N10T , ME70N10T-G , ME7232 , ME7232-G .
History: FL6L5207
History: FL6L5207



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ240N03D | JMTQ240N03A | JMTQ240C03D | JMTQ230N04D | JMTQ220N04D | JMTQ200P03A | JMTQ190N03A | JMTQ170C04D | JMTQ160P03A | JMTQ130P04A | JMTQ130N04D | JMTQ120N04D | JMTQ120N03D | JMTQ120N03A | JMTQ120C03D | JMTQ11DP03A
Popular searches
ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g