Справочник MOSFET. ME6612D-G

 

ME6612D-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME6612D-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 650 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 536 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00265 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME6612D-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1040K  matsuki electric
 me6612d-g.pdf pdf_icon

ME6612D-G

ME6612D-G Dual N-Channel 12V(S-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME6612D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RSS(ON) 2.65 m@VGS=4.5Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS RSS(ON) 2.75 m@VGS=3.8Vtrench technology. This high density process is especially tailored to RSS(ON) 3.85 m@VGS=3.1Vminimize on-state

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SIR484DP | APT10050LVFR | IRFP150FI | AP9581GS | SI1402DH | RQ3E130MN | STM8300

 

 
Back to Top

 


 
.