ME6612D-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME6612D-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 650 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 536 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00265 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3

Аналог (замена) для ME6612D-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME6612D-G даташит

 ..1. Size:1040K  matsuki electric
 me6612d-g.pdf pdf_icon

ME6612D-G

ME6612D-G Dual N-Channel 12V(S-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME6612D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RSS(ON) 2.65 m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RSS(ON) 2.75 m @VGS=3.8V trench technology. This high density process is especially tailored to RSS(ON) 3.85 m @VGS=3.1V minimize on-state

Другие IGBT... ME55N06-G, ME5602D-G, ME60N03S, ME60N03S-G, ME60N04, ME60N04-G, ME6600D-G, ME6606D-G, IRF4905, ME6874, ME6874-G, ME70N03S, ME70N03S-G, ME70N10T, ME70N10T-G, ME7232, ME7232-G