ME6874 Todos los transistores

 

ME6874 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME6874
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

 Búsqueda de reemplazo de ME6874 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME6874 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  matsuki electric
 me6874 me6874-g.pdf pdf_icon

ME6874

ME6874/ME6874-G Dual N-Channel 20-V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES 20V/6.0A,RDS(ON)=25m@VGS=4.5V The ME6874 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power 20V/5.2A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high dens

Otros transistores... ME5602D-G , ME60N03S , ME60N03S-G , ME60N04 , ME60N04-G , ME6600D-G , ME6606D-G , ME6612D-G , 5N60 , ME6874-G , ME70N03S , ME70N03S-G , ME70N10T , ME70N10T-G , ME7232 , ME7232-G , ME7232S .

History: FS2KMJ-3 | AP3A010MT | CED02N6A | AM60N10-70P | BSD235C | HM75N20 | SUD50P04-40P

 

 
Back to Top

 


 
.