ME6874 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME6874
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.14 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.9 V
Carga de la puerta (Qg): 9.5 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 76 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME6874
ME6874 Datasheet (PDF)
me6874 me6874-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ME6874/ME6874-G Dual N-Channel 20-V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES 20V/6.0A,RDS(ON)=25m@VGS=4.5V The ME6874 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power 20V/5.2A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high dens
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
![ME6874](https://alltransistors.com/images/us.png)
![ME6874](https://alltransistors.com/images/es.png)
![ME6874](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C