ME6874. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME6874

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для ME6874

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME6874 даташит

 ..1. Size:688K  matsuki electric
 me6874 me6874-g.pdf pdf_icon

ME6874

ME6874/ME6874-G Dual N-Channel 20-V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES 20V/6.0A,RDS(ON)=25m @VGS=4.5V The ME6874 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power 20V/5.2A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high dens

Другие IGBT... ME5602D-G, ME60N03S, ME60N03S-G, ME60N04, ME60N04-G, ME6600D-G, ME6606D-G, ME6612D-G, IRLB4132, ME6874-G, ME70N03S, ME70N03S-G, ME70N10T, ME70N10T-G, ME7232, ME7232-G, ME7232S