ME7232S-G Todos los transistores

 

ME7232S-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7232S-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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ME7232S-G datasheet

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ME7232S-G

ME7232S/ME7232S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 5 m @VGS=10V The ME7232S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7 m @VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

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ME7232S-G

ME7232S/ME7232S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 5 m @VGS=10V The ME7232S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7 m @VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

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ME7232S-G

ME7232/ME7232-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 4.5 m @VGS=10V The ME7232-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 6.8 m @VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

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