ME7232S-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME7232S-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 68.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 50.8 ns
Выходная емкость (Cd): 187 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
ME7232S-G Datasheet (PDF)
me7232s-g.pdf
ME7232S/ME7232S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5 m@VGS=10VThe ME7232S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to
me7232s me7232s-g.pdf
ME7232S/ME7232S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5 m@VGS=10VThe ME7232S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to
me7232 me7232-g.pdf
ME7232/ME7232-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)4.5 m@VGS=10VThe ME7232-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)6.8 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
