Справочник MOSFET. ME7232S-G

 

ME7232S-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7232S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 33.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7232S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:753K  1
 me7232s-g.pdf pdf_icon

ME7232S-G

ME7232S/ME7232S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5 m@VGS=10VThe ME7232S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to

 ..2. Size:891K  matsuki electric
 me7232s me7232s-g.pdf pdf_icon

ME7232S-G

ME7232S/ME7232S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5 m@VGS=10VThe ME7232S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)7 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to

 8.1. Size:925K  matsuki electric
 me7232 me7232-g.pdf pdf_icon

ME7232S-G

ME7232/ME7232-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)4.5 m@VGS=10VThe ME7232-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)6.8 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... ME6874-G , ME70N03S , ME70N03S-G , ME70N10T , ME70N10T-G , ME7232 , ME7232-G , ME7232S , RFP50N06 , ME7306-G , ME7345-G , ME7356-G , ME7362 , ME7362-G , ME7423S-G , ME7442D-G , ME75N03 .

 

 
Back to Top

 


 
.