ME7306-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME7306-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

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ME7306-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1304K matsuki electric
me7306-g.pdf

ME7306-G Dual N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)31m@ VGS =10V The ME7306-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)45m@ VGS=4.5V power field effect transistor, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

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Liste

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