Справочник MOSFET. ME7306-G

 

ME7306-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7306-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7306-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1304K  matsuki electric
 me7306-g.pdf pdf_icon

ME7306-G

ME7306-G Dual N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)31m@ VGS =10V The ME7306-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)45m@ VGS=4.5V power field effect transistor, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXTP50N20PM | PHP160NQ08T | BRCS18N20RA | KMA4D5P20XA | HGB088N15S | IXTP26P10T | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.