ME7345-G Todos los transistores

 

ME7345-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7345-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 103 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6
 

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ME7345-G Datasheet (PDF)

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 me7345-g.pdf pdf_icon

ME7345-G

ME7345-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7345-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)15m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

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History: NTD4965N-1G | ME70N03S-G | HM2907 | DH400P06F | IXFT86N30T | IRFS723 | IPB180N08S4-02

 

 
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