Справочник MOSFET. ME7345-G

 

ME7345-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7345-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 103 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 

 Аналог (замена) для ME7345-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7345-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  matsuki electric
 me7345-g.pdf pdf_icon

ME7345-G

ME7345-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7345-G is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)15m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... ME70N03S-G , ME70N10T , ME70N10T-G , ME7232 , ME7232-G , ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G , 4435 , ME7356-G , ME7362 , ME7362-G , ME7423S-G , ME7442D-G , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 .

History: NP84N055MHE | ZXM62N03G | HSU6004 | RFG50N06 | HTD410P06 | SUD50P04-40P | 2SK2148-01

 

 
Back to Top

 


 
.