ME7356-G Todos los transistores

 

ME7356-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7356-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 353 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 311 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6
 

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ME7356-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1169K  matsuki electric
 me7356-g.pdf pdf_icon

ME7356-G

ME7356-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7356-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.8m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6.2m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

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History: SI4778DY | HTJ440P02E | CED02N6A | IXFG55N50 | IRFSL23N20D | RFP4N100 | SM4024NSKP

 

 
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