Справочник MOSFET. ME7356-G

 

ME7356-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7356-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 353 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 311 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 

 Аналог (замена) для ME7356-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7356-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1169K  matsuki electric
 me7356-g.pdf pdf_icon

ME7356-G

ME7356-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7356-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.8m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6.2m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... ME70N10T , ME70N10T-G , ME7232 , ME7232-G , ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G , ME7345-G , IRF530 , ME7362 , ME7362-G , ME7423S-G , ME7442D-G , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 , ME7607-G .

History: RSR025P03FRA | IPB65R420CFD

 

 
Back to Top

 


 
.