ME7362-G Todos los transistores

 

ME7362-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7362-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1051 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6
 

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ME7362-G Datasheet (PDF)

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 me7362 me7362-g.pdf pdf_icon

ME7362-G

ME7362/ME7362-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7362 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)2 m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)3 m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

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History: AP730P | DH400P06F | AD7N60S | IXFT86N30T | IRFS723 | ME70N03S-G | IPB180N08S4-02

 

 
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