ME7362-G Todos los transistores

 

ME7362-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7362-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1051 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME7362-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:997K  matsuki electric
 me7362 me7362-g.pdf pdf_icon

ME7362-G

ME7362/ME7362-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7362 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)2 m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)3 m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NTMFS4925NT1G | VS3620DP-G | 2SJ152

 

 
Back to Top

 


 
.